Ведутся работы по созданию РПДУ на основе отечественных электронных компонентов

В настоящее время в филиале ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» «НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) ведется разработка РПДУ с использованием полностью отечественных электронных компонентов, как серийно выпускаемых, так и находящихся на стадии проектирования.

АО «НИИЭТ» добилось значительных успехов по сравнению с другими отечественными производителями в разработке GaN-транзисторов.

Разработчиками НИИИС были проведены предварительные исследования макетов усилителей на основе опытных образцов АО «НИИЭТ»: ПП9136А, ПП9138Б и ПП9139А.

Результаты исследования работы GaN-транзисторов в макете усилителя показали полное соответствие заявленных параметров на частотах в С-диапазоне.

Таким образом, при разработке РПДУ с фазовой манипуляцией, НИИИС выполнило предварительное исследование и показало возможность разработки СВЧ-усилителя с высоким коэффициентом полезного действия на GaN-транзисторах, созданных и выпускаемых АО «НИИЭТ».

niiet.ru